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Microwriter ML3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm X 70cm X 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。

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多种数据输入格式(DXF, CIF, GDSII, Gerber, STL) 网络数据传输 计量校准系统 人工气候室 阶段地图校正 边缘检测器单元 色差校正

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写入速度高达90毫米²/分钟 基板6 x 6” 降至0.6µm结构 标准或紫外光源

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科研用激光直写系统 具有多种直写模块，实现不同精度直写需求 能于结构上进行灰度曝光欢乐赛车

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搭配海德堡的精密软件控制可以让您在大面积范围中，也可以瞄写2维和3维图形的DWL 8000系列，是针对微光学领域的2维和3维的微构造形式所制作。 对于激光图形生成器，MEMS，Displays 和sensors 都有加宽，加高的设计。DWL 8000精确的温度控制，动态的焦点追踪，closed loop位置决定，确保完美布置和完全覆盖性的直写范围。 DWL 8000多年的经验累积，使Gray Scale曝光技术，可以更有效率于更小的系统上直写更大的区域范围。在使用高分辨率技术掩模板上，使用曝光强度经过调整的激光，可在连续表面上形成1个复杂的3维样式。

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大尺寸掩膜版生产工具 平行化曝光制程技术

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VPG 设计有可以搭载多样化不同尺寸的承载平台，例如：1600mm*1400mm,1100mm*1100mm,800mm*800mm. 但这些系统都安装有气浮装置，可配置半自动或者全自动的上下版装置，并且可以选择zui高输出功率20W的UV激光发射头。

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基本灰度曝光模式 对准摄像系统 实时自动对焦 User-optimized接触向导

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德国高精密激光直写绘图机 非接触式曝光 可支持高效数位光刻与灰度光刻

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· 最新的创新性Prexision平台具备优异的精准度与可重复性 · 用我们的专利技术改善配准测量。 · 因为第 一次测量的结果精确无误，这大大给您节省了周转时间。 · 充分发挥我们的Prexision光刻机的潜力。

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适用于分辨率不低于0.65μm的大规模集成电路工艺器件量产的G-line步进式光刻机。

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美国 OAI 光刻机:Model  200 手动曝光机,实验室用 ,Model 800MBA 双面曝光机, 实验室及小批量生产,Model  2000 全自动边缘曝光系统,生产型Model  5000 全自动曝光机,生产型OAI 200型光刻机是一种具有成本效益的高性能掩模对准器，采用经过行业验证的组件，使OAI成为光刻设备行业的领 导者。 200型是台式面罩对准器，需要最小的洁净室空间。它为研发，或有限规模，试点生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空吸盘调平系统，衬底快速平稳地平整，用于平行光掩模对准和在接触曝光期间在晶片上的均匀接触。该系统能够实现一微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其便于使用各种衬底和掩模，而不需要用于重新配置的特殊工具。对准模块包括X，Y和Z轴的微米。200型掩模对准器具有可靠的OAI紫外光源，其在近紫外或深紫外中提供准直的紫外光，使用功率从200至2000瓦的灯。双传感器，光学反馈回路连接到恒定强度控制器，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以快速和容易地改变UV波长。该掩模Aligner是一种灵活，经济的解决方案，适用于任何入门级掩模对准和UV紫外光照射应用.OAI在MEMS和微流体装置方面的产品主要包括 :  光刻机                                                                                      光源以工作稳定，出光效率高，高均匀性和散射角小而著称。且可提供 20” 以上的大面积光源。  光功率计及分析仪OAI光功率计以其测量精度，重复性著称。测量数据符合美国NIST标准。广泛应用于半导体光刻能量测量及控制。 

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欢乐赛车 800型光学正面和背面光刻机系统OAI模型800光刻机是半自动,four-camera、光学正面和背面光刻机。它提供极其精确的(1碌m - 2 m碌)对准精度,旨在大大超过任何红外背后对准器性能的一个非常有竞争力的价格。通用模型800光刻机是理想的用于低产量、研发实验室和大学。模型800光刻机配置了各种各样的的OAI紫外线光源,在权力范围2千瓦。光刻机工具可以容纳基质8英寸广场,以及晶片卡盘定位允许方便装卸。这个划算的光刻机还包括机动背后焦点,电动汽车水准和汽车差距设置。建立在隔振平台,固定器总成担保的固定不变的面具对准精度和可重复性。使用易读的操作简化,PLC触摸屏。培训时间短,操作员可以有效地学习使用光刻机在不到一个小时。

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•全自动 •侧面对齐 •可选：底部对齐 UV到NUV •集群工具集成 •自定义软件

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OAI 5000E型大面积掩光刻机是一种先进的高性能，全自动掩模对准器和曝光工具，可为大型平板应用提供超精密，顶级，亚微米对准和分辨率。 其灵活的设计允许在各种基材（圆形或方形）上印刷高达300mm或20“×20”。 曝光系统兼容近，中，或深紫外范围的光刻胶，并具有计算机控制的LED显微镜照明，在不太理想的观察环境中观察。

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800FSA型掩模对准器可以配置多种OAI光源，功率高达2KW。

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OAI 2000型曝光系统可以配置为边缘曝光系统（2000SM）或曝光系统（2000AF）;这两种配置都基于OAI经过验证的，经过时间测试的平台。两种型号的2000型曝光系统包括UV光源，强度控制电源和机器人衬底处理子系统。 UV光源提供发散半角<2.0％的可调强度光束。电源从200W到2,000W。强度控制器传感器直接连接到光源，用于精确的强度监控。机器人衬底处理系统是微处理器控制的，并且可以被编程以适应各种各样的衬底尺寸。阴影掩模能力使得用户能够在保持非常接近掩模的同时对衬底的顶部进行图案化。在25微米的分离时，这些系统能够具有6微米的分辨率。在SM配置中，边缘珠曝光系统提供了一种经济有效的方法，使用标准阴影掩模技术进行边缘珠去除。掩模和基材切换可以快速且容易地实现，从而增加了该大批量生产工具的通用性和生产量。在AF配置中，2000型泛光曝光系统用于增强和/或增强生产和研发环境中的光刻过程。应用包括光刻胶稳定和改性，图像反转和PCM工艺。Model 2000SM Edge-bead Exposure SystemModel 2000AF Flood Exposure SystemThe OAI Model 2000 Exposure Systems may be configured as either an edge-bead exposure system (2000SM) or a flood exposure system (2000AF); both configurations are based on OAI's proven, time-tested platform.Both versions of the Model 2000 Exposure System include a UV light source, intensity controlling power supply and robotic substrate handling subsystem. UV light sources provide adjustable intensity beams with divergence half-angles of <2.0%. Power supplies are available from 200W to 2,000W. Intensity controller sensors are linked directly to the light source for accurate intensity monitoring. The robotic substrate handling system is microprocessor controlled and may be programmed to accommodate a wide variety of substrate sizes. The shadow mask capability enables the user to pattern the top of a substrate while being held in very close proximity to the mask. At a separation of 25-microns, these systems are capable of 6-micron resolution.In the SM configuration, the Edge-bead Exposure System provides a cost-effective method for edge-bead removal using standard shadow mask technology. Mask and substrate changeover can be accomplished quickly and easily adding to both versatility and throughput of this high-volume production tool.In the AF configuration, the Model 2000 Flood Exposure System is used to augment, and/or enhance the photolithography processes in both production and R&D environments. Applications include photo resist stabilization and modification, image reversal and PCM processes.

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2012SM型自动边缘曝光系统为使用标准阴影掩模技术的边缘珠去除提供了一种经济高效的方法。 设计用于容纳8“到300mm的晶片,该工具具有自动FOUP装载。 掩模和基材切换可以快速且容易地实现,从而增加该生产工具的通用性和高产量。Automated Edge-Bead Exposure SystemModel 2012SMThe Model 2012SM Automated Edge-bead Exposure Systemprovides a cost-effective method for edge-bead removal using standard shadowmask technology。 Designed to accommodate wafers from 8” to 300mm, the tool featuresautomated FOUP loading。 Mask and substrate changeover can be accomplishedquickly and easily adding to both versatility and high-volume throughput ofthis production tool。

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DWL2000和DWL4000激光光刻系统为快速、灵活的高分辨率图形产生器，用于制作光罩和直写。这些系统的写入面积高达200x200mm²与400x400mm²，是MEMS、BioMEMS、Micro Optics、ASICs、Micro Fluidics、Sensors，CGH以及所有其他微结构应用里，需快速构图于光罩和硅片的完美方案。欢乐赛车

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美国 OAI 光刻机:Model  200 手动曝光机,实验室用 ,Model 800MBA 双面曝光机, 实验室及小批量生产,Model  2000 全自动边缘曝光系统,生产型Model  5000 全自动曝光机,生产型OAI 200型光刻机是一种具有成本效益的高性能掩模对准器,采用经过行业验证的组件,使OAI成为光刻设备行业的领 导者。 200型是台式面罩对准器,需要最小的洁净室空间。它为研发,或有限规模,试点生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空吸盘调平系统,衬底快速平稳地平整,用于平行光掩模对准和在接触曝光期间在晶片上的均匀接触。该系统能够实现一微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘,其便于使用各种衬底和掩模,而不需要用于重新配置的特殊工具。对准模块包括X,Y和Z轴的微米。200型掩模对准器具有可靠的OAI紫外光源,其在近紫外或深紫外中提供准直的紫外光,使用功率从200至2000瓦的灯。双传感器,光学反馈回路连接到恒定强度控制器,以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以快速和容易地改变UV波长。该掩模Aligner是一种灵活,经济的解决方案,适用于任何入门级掩模对准和UV紫外光照射应用。 OAI在MEMS和微流体装置方面的产品主要包括 :   光源以工作稳定,出光效率高,高均匀性和散射角小而著称。且可提供 20” 以上的大面积光源。 光功率计及分析仪OAI光功率计以其测量精度,重复性著称。测量数据符合美国NIST标准。广泛应用于半导体光刻能量测量及控制。​

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瑞典Mycronic FPS 6100多功能掩膜版光刻机，使多功能光掩模制造，具有无与伦比的灵活性。

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PhableR 100 紫外光刻机是一套低成本的光学曝光系统，但却能获得高分辨率的周期性结构。同传统的紫外曝光机类似，涂覆了光刻胶的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于Eulitha公司拥有突破性的PHABLE 曝光技术，在"PHABLE"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，从而曝光出亚微米的线性光栅和二维光栅（六角形和正方形），且曝光结果非常均匀，质量很 好；在"mask aligner"模式下，能非常轻松地获得微米尺寸的图形。

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提高分辨率 25%； 更佳的贴片性能 70%； 更快的写入速度20% 。

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Microwriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向zui高精度100 nm，方便快捷。

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把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上，分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光，曝光精度可达500nm。基本指标1. RESOLUTION：0.5μm2. LENS DISTORTION：≤0.9μm3. RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm4. STEPPING ACCURACY：≤0.08μm 5. OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)6. OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm

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I线步进式光刻机 / I-line stepper,型号：Nikon NSR-I12技术指标及功能广泛应用于生产线,是6英寸,8英寸等主力I线生产机台,适用于I线光刻胶的曝光,操作简单,曝光精度准,解析力zui高可达0。35UM （350NM）

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聚合物笔无掩模光刻纳米制造系统（polymer pen lithography）聚合物笔纳米无掩模光刻制造系统PPL, 使用可达160000笔尖的阵列，采用蘸笔光刻DPN的方式，将待沉积的材料（墨水）浸蘸在笔尖阵列上，笔尖可控的与基底表面接触，从而在基底表面批量成型所需图案，加工纳米微米图案无需光掩膜，且在平方厘米范围内达到200纳米以下的分辨率，可应用于纳米粒子合成，蛋白阵列，单细胞排布，纳米电路构造、生物芯片、化学检测、微尺度催化反应、分子马达等领域。此设备在国际上属于首个基于聚合物笔光刻(PPL)技术的纳米制造系统，PPL技术是美国Tera-print公司独有的技术。